Drukuj stronę
4 939 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 7,510 zł |
| 500+ | 6,670 zł |
| 1500+ | 5,530 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
771,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaAUIRFR5305TRL
Nr katalogowy Farnell2725792RL
Asortyment produktówHEXFET
Inna nazwaSP001519556
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds55V
Prąd ciągły Id drenu31A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.065ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252AA
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy110W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówHEXFET
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze AUIRFR5305TRL
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
Automotive grade HEXFET® power MOSFET specifically designed for automotive applications.
- Advanced planar technology
- Low on-resistance
- Dynamic dv/dot rating
- Fast switching speed and ruggedized device design
- Fully avalanche rated
- Repetitive avalanche allowed up to Taxa
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
31A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252AA
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
110W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
55V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.065ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
HEXFET
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0004