Low

IHW20N120R3FKSA1 - 

Pojedynczy tranzystor IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 piny/-ów

INFINEON IHW20N120R3FKSA1

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

Nr części producenta:
IHW20N120R3FKSA1
Nr katalogowy Farnell
1832349
Inna nazwa:
IHW20N120R3 , SP000437702
Karta katalogowa:
(EN)
Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Informacje o produkcie

:
3piny/-ów
:
TO-247
:
-
:
20A
:
310W
:
-
:
1.7V
:
1.2kV
:
175°C
Znajdź podobne produkty Wybierz i zmodyfikuj powyższe atrybuty, aby znaleźć podobne produkty.

Specyfikacja

The IHW20N120R3 is a Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode. The 3rd generation of reverse conducting IGBT has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behaviour allows better thermal performance and EMI behaviour resulting in lower system costs. It is suitable for rice cookers and other soft switching applications.
  • Excellent performance
  • Best-in-class conduction properties in VCE(sat) and Vf
  • Lowest switching losses, highest efficiency
  • Soft current turn-OFF waveforms for low EMI
  • Lowest power dissipation
  • Better thermal management
  • Surge current capability
  • Lower EMI filtering requirements
  • Excellent quality
  • Highest reliability against peak current
  • Very tight parameter distribution
  • High ruggedness, temperature stable behaviour
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
  • Green product
  • Halogen-free

Zastosowania

Elektronika użytkowa, Energia alternatywna, Zarządzanie zasilaniem

Inna nazwa

IHW20N120R3 , SP000437702

Produkty powiązane

Porównaj wybrane produkty