Drukuj stronę
IPG20N06S4L26ATMA1
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPG20N06S4L26ATMA1
Nr katalogowy Farnell2480844RL
Inna nazwaIPG20N06S4L-26, SP000705588
Karta katalogowa
11 028 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 50+ | 2,490 zł |
| 250+ | 2,080 zł |
| 1000+ | 1,860 zł |
| 3000+ | 1,850 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
269,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIPG20N06S4L26ATMA1
Nr katalogowy Farnell2480844RL
Inna nazwaIPG20N06S4L-26, SP000705588
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N20A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.021ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.021ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTDSON
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N33W
Rozproszenie mocy, kanał typu P33W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The IPG20N06S4L-26 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for direct fuel injection, ABS valves, solenoid control and load switch applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.021ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
33W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
20A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.021ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TDSON
Rozproszenie mocy, kanał typu N
33W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001814
Śledzenie produktu