Low

IRF7303TRPBF - 

Podwójny MOSFET, Podwójny kanał N, 4.9 A, 30 V, 0.05 ohm, 10 V, 1 V

INFINEON IRF7303TRPBF

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

Nr części producenta:
IRF7303TRPBF
Nr katalogowy Farnell
2101474
Karta katalogowa:
(EN)
Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Informacje o produkcie

:
8piny/-ów
:
SOIC
:
-
:
0.05ohm
:
2W
:
1V
:
30V
:
-
:
Podwójny kanał N
:
4.9A
:
10V
:
150°C
Znajdź podobne produkty Wybierz i zmodyfikuj powyższe atrybuty, aby znaleźć podobne produkty.

Specyfikacja

The IRF7303TRPBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
  • Generation V technology
  • Ultra low ON-resistance
  • Surface-mount device
  • Dynamic dV/dt rating
  • Fast switching performance

Zastosowania

Przemysłowe, Zarządzanie zasilaniem