Drukuj stronę
BUK9Y30-75B,115
MOSFET mocy, Kanał typu N, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 18 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6,710 zł |
| 10+ | 4,640 zł |
| 100+ | 3,620 zł |
| 500+ | 3,090 zł |
| 1000+ | 3,090 zł |
| 5000+ | 3,030 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
6,71 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBUK9Y30-75B,115
Nr katalogowy Farnell1769690
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds75V
Prąd ciągły Id drenu34A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.028ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-669
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)5V
Napięcie progowe Vgs1.5V
Rozproszenie mocy85W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BUK9Y30-75B jest N-kanałowym tranzystorem FET poziomu logicznego, z kanałem wzbogaconym. Jest umieszczony w plastikowej obudowie. Produkt ten wykorzystuje technologię TrenchMOS®. Układ jest opracowany i kwalifikację normy AEC-Q101 - do użytku w aplikacjach motoryzacyjnych o krytycznym znaczeniu.
- Nieznaczne straty przewodzenia dzięki niskiej rezystancji w stanie „ON"
- Produkt odpowiedni do źródeł sterownika bramkowego poziomu logicznego
- Odpowiedni do środowisk o dużych wymogach termicznych dzięki temperaturze znamionowej 175°C
- Zakres temperatury połączeniowej: -55 do 175°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
34A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-669
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
5V
Rozproszenie mocy
85W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
75V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.028ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.5V
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000896
Śledzenie produktu