Drukuj stronę
NX3008PBK,215
MOSFET mocy, Kanał typu P, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 54 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,300 zł |
| 1500+ | 0,260 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
170,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaNX3008PBK,215
Nr katalogowy Farnell2069547RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds30V
Prąd ciągły Id drenu230mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”4.1ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs900mV
Rozproszenie mocy350mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
NX3008PBK to P-kanałowy, wzbogacony tranzystor FET, zaprojektowany do małych obudów plastikowych montowanych powierzchniowo. Wykorzystuje technologię Trench MOSFET. Jest odpowiedni do sterownika przekaźnika, przełącznika obciążenia low side, sterownika liniowego dużej prędkości oraz do obwodów przełączania.
- Bardzo szybkie przełączanie
- Zabezpieczenie ESD do 2kV
- Niskie napięcie progowe
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Zakres temperatury połączeniowej: -55 do 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
230mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
350mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
30V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
4.1ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
900mV
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000007