Drukuj stronę
NTRV4101PT1G
MOSFET mocy, Kanał typu P, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNTRV4101PT1G
Nr katalogowy Farnell2728037RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu2.4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.085ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs720mV
Rozproszenie mocy1.25W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NTRV4101PT1G
Znaleziono 5 produktów
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
2.4A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
1.25W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.085ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
720mV
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0004
Śledzenie produktu