Low

NTZD3155CT1G - 

Podwójny MOSFET, Kanał N i P, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V

ON SEMICONDUCTOR NTZD3155CT1G

Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.

Nr części producenta:
NTZD3155CT1G
Nr katalogowy Farnell
2101817
Karta katalogowa:
(EN)
Zobacz wszystkie dokumenty techniczne

Informacje o produkcie

:
6piny/-ów
:
SOT-563
:
-
:
0.4ohm
:
250mW
:
1V
:
20V
:
-
:
Kanał N i P
:
540mA
:
4.5V
:
150°C
Znajdź podobne produkty Wybierz i zmodyfikuj powyższe atrybuty, aby znaleźć podobne produkty.

Specyfikacja

The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
  • Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
  • High efficiency system performance
  • Low threshold voltage
  • ESD protected gate
  • Small footprint

Zastosowania

Przemysłowe, Zarządzanie zasilaniem

Alternatywy

Porównaj wybrane produkty
Numer części producenta
Nr katalogowy Farnell
Producent / opis
Dost
Cena dla
Ilość
5 990 W magazynie

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

1+ 1,23 zł 10+ 1,02 zł 100+ 0,53 zł 250+ 0,5 zł więcej…