Drukuj stronę
VEC2315-TL-W
Podwójny MOSFET, Kanał typu P, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaVEC2315-TL-W
Nr katalogowy Farnell2563866RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N2.5A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P2.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.137ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraVEC
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N900mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P900mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
2.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.137ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
900mW
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
2.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
-
Rodzaj obudowy tranzystora
VEC
Rozproszenie mocy, kanał typu N
900mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0112
Śledzenie produktu