Drukuj stronę
RW1A013ZPT2R
MOSFET mocy, Kanał typu P, 12 V, 1.3 A, 0.26 ohm, SOT-563T, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaRW1A013ZPT2R
Nr katalogowy Farnell2706693RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds12V
Prąd ciągły Id drenu1.3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.26ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-563T
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)4.5V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy700mW
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze RW1A013ZPT2R
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
1.3A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-563T
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
4.5V
Rozproszenie mocy
700mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
12V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.26ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000003