Drukuj stronę
2N4860A
Tranzystor JFET, JFET, -30 V, 100 mA, -6 V, TO-18, 3 piny
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentSOLID STATE
Nr części producenta2N4860A
Nr katalogowy Farnell1862999
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło-30V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.100mA
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.20mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.-6V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-18
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.-
Rodzaj tranzystoraJFET
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
-30V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
20mA
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-18
Temperatura robocza, maks.
-
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
100mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
-6V
Liczba pinów
3 piny
Rodzaj tranzystora
JFET
Montaż tranzystora
przewlekany
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000311