Drukuj stronę
STB3N62K3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 620 V, 2.7 A, 2.2 ohm, TO-263 (D2PAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTB3N62K3
Nr katalogowy Farnell2098139
Karta katalogowa
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTB3N62K3
Nr katalogowy Farnell2098139
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds620V
Prąd ciągły Id drenu2.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”2.2ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.75V
Rozproszenie mocy45W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
2.7A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
45W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
620V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
2.2ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3.75V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.138
Śledzenie produktu