Drukuj stronę
STS1DN45K3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 450 V, 500 mA, 3.2 ohm, SOIC, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTS1DN45K3
Nr katalogowy Farnell2098345
Karta katalogowa
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTS1DN45K3
Nr katalogowy Farnell2098345
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds450V
Prąd ciągły Id drenu500mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3.2ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.75V
Rozproszenie mocy1.7W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
500mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1.7W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
450V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3.2ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3.75V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.008