Drukuj stronę
STU5N95K3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 950 V, 4 A, 3 ohm, TO-251, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTU5N95K3
Nr katalogowy Farnell2098361
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 16 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 9,200 zł |
| 10+ | 8,060 zł |
| 100+ | 6,670 zł |
| 500+ | 5,990 zł |
| 1000+ | 5,530 zł |
| 5000+ | 5,150 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
9,20 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTU5N95K3
Nr katalogowy Farnell2098361
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds950V
Prąd ciągły Id drenu4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”3ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-251
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4V
Rozproszenie mocy90W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The STU5N95K3 is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low ON-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Extremely large avalanche performance
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
4A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-251
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
90W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
950V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
3ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
4V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STU5N95K3
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.031
Śledzenie produktu