Drukuj stronę
SI3442CDV-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 20 V, 8 A, 0.0225 ohm, TSOP, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI3442CDV-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2283659
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0225ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSOP
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs600mV
Rozproszenie mocy2.7W
Liczba pinów6Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI3442CDV-T1-GE3
Znaleziono 2 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
8A
Rodzaj obudowy tranzystora
TSOP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
2.7W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0225ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
600mV
Liczba pinów
6Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00012
Śledzenie produktu