Drukuj stronę
SI3900DV-T1-E3
DUAL N CHANNEL, MOSFET, 20V, 2.4A, TSOP-
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI3900DV-T1-E3
Nr katalogowy Farnell2459244
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 8 tydzień (tygodnie)
Opłata za dostawę: 110,0 zł raz na zamówienie. Dostawa w ciągu 5 dni roboczych w przypadku pozycji dostępnych w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 3000+ | 1,810 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 3000
Wiele: 3000
5 430,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI3900DV-T1-E3
Nr katalogowy Farnell2459244
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Karta katalogowa
Typ kanałuN Channel
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N20V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N2A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.125ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.125ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTSOP
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N830mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P830mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - Unlimited
Substancje SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
N Channel
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.125ohm
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
830mW
Asortyment produktów
Compute Module 3+ Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - Unlimited
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
2A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.125ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
TSOP
Rozproszenie mocy, kanał typu N
830mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Substancje SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000047