Drukuj stronę
SI4102DY-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 3.8 A, 0.158 ohm, SOIC, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI4102DY-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell1779249RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu3.8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.158ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2V
Rozproszenie mocy4.8W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The SI4102DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
3.8A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
4.8W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.158ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005