Drukuj stronę
SI7413DN-T1-E3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 20 V, 8.4 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7413DN-T1-E3
Nr katalogowy Farnell2335361
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds20V
Prąd ciągły Id drenu8.4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.015ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK 1212
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)1.8V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy1.5W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7413DN-T1-E3
Znaleziono 2 produktów
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
8.4A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK 1212
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
1.8V
Rozproszenie mocy
1.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
20V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.015ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000209
Śledzenie produktu