Drukuj stronę
SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 100 V, 27.8 A, 0.023 ohm, PowerPAK SO, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
5 584 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa EKSPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 4,520 zł |
| 10+ | 3,860 zł |
| 100+ | 3,460 zł |
| 500+ | 3,310 zł |
| 1000+ | 3,130 zł |
| 5000+ | 2,790 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
4,52 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7456DDP-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2283676
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Prąd ciągły Id drenu27.8A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.023ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.5V
Rozproszenie mocy35.7W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (21-Jan-2025)
Specyfikacja
N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in DC/DC primary side switch, telecom/server 48V, full/half-bridge DC/DC, industrial and synchronous rectification.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
27.8A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
35.7W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.023ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.5V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7456DDP-T1-GE3
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00012