Drukuj stronę
SUD50P04-15-E3
MOSFET mocy, TrenchFET, Kanał typu P, 40 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSUD50P04-15-E3
Nr katalogowy Farnell2547297
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu50A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.015ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy100W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SUD50P04-15-E3
Znaleziono 8 produktów
Specyfikacja
The SUD50P04-15-E3 is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 175°C Operating temperature range
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
50A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
100W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.015ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000454