Potrzebujesz więcej?
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6,030 zł |
| 10+ | 4,430 zł |
| 25+ | 4,060 zł |
| 100+ | 3,620 zł |
| 250+ | 3,410 zł |
| 500+ | 3,290 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The MAX4231AYT+T is a high output drive, rail to rail I/O, single CMOS operational amplifier (op-amp) with shutdown mode in 6 pin μDFN package. This amplifier exhibits high slew rate of 10V/μs and gain bandwidth product (GBWP) of 10MHz. The MAX4231 can drive typical headset levels (32ohm) as well as bias an RF power amplifier (PA) in wireless handset applications. This op-amp is designed to be part of RF PA control circuitry and biasing RF power amplifiers in wireless headsets. The MAX4231 offers active-low SHDN feature that drives the output low. This ensures that the RF PA is fully disabled when needed, preventing unconverted signals to RF antenna. It is also used in audio hands free car phones kits, digital to analogue converter buffers, transformer/line drivers and high bandwidth applications.
- Supply voltage range from ±1.35V to ±2.5V and 2.7V to 5.5V
- Operating temperature range from -40°C to 125°C
- Optimized for headsets and high current outputs
- Output drive capability of 200mA and full power bandwidth of 0.8MHz
- Large signal voltage gain of 100dB (RL = 100Kohm) at TA = +25°C
- PSRR of 85dB (VDD = 2.7V to 5.5V) and CMRR of 70dB (VSS <lt/> VCM <lt/> VDD) at TA = +25°C
- No phase reversal for overdriven inputs, unity gain stable for capacitive loads to 780pF
- Quiescent supply current (per amplifier) of 1.2mA at VDD = 5.5V, VCM = VDD/2
- Input offset voltage of 0.85mV and input offset current of 50pA at TA = +25°C
- Low power shutdown mode reduces supply current to less than 1μA
Ostrzeżenia
Ze względu na wysoką wartość prądu wyjściowego, ten wzmacniacz operacyjny może przekroczyć maksymalną znamionową wartość rozproszenia mocy.
Uwagi
ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party
Specyfikacje techniczne
1Channels
10V/µs
µDFN
CMOS
850µV
Montaż powierzchniowy
125°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
-
1 wzmacniacz
10MHz
± 1.35V do ± 2.5V, 2.7V do 5.5V
6Pins
Wejście/wyjście rail-to-rail (RRIO)
1pA
-40°C
-
MSL 1 - nieograniczone
µDFN
10MHz
10V/µs
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Thailand
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu