25V NPN Tranzystory bipolarne

: Znaleziono 66 produktów
×
2 Liczba zastosowanych filtrów:
Znaleziono 66 produktów Kliknij przycisk „Zastosuj filtry”, aby zaktualizować wyniki
Min./maks. Dostępność

Zaznaczenie pola wyboru „Zapamiętaj” spowoduje zapisanie ostatnich preferencji filtrowania i użycie ich w kolejnych wyszukiwaniach.

Zgodność
Opakowanie
Min./maks. Producent
Resetuj
Min./maks. Biegunowość tranzystora
Resetuj
Min./maks. Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
Resetuj
Min./maks. Częstotliwość przejścia ft
Resetuj
Min./maks. Straty mocy Pd
Resetuj
Min./maks. Prąd kolektora DC
Resetuj

Ceny umowne nie są w tej chwili dostępne. Podane ceny są standardowymi cenami detalicznymi, ceny umowne zostaną zastosowane do złożonych zamówień w trakcie ich przetwarzania.

Liczba zastosowanych filtrów:
Biegunowość tranzystora
= NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
= 25V
Porównaj wybrane produkty Porównaj
Więcej parametrów Atrybuty
Dodaj właściwości do tabeli

Wybierz właściwości, które chcesz dodać do kolumn na końcu tabeli.

  Nr części producenta Nr katalogowy Farnell Producent / opis
Dost Cena netto dla
Cena
Ilość
Biegunowość tranzystora Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo Częstotliwość przejścia ft Straty mocy Pd Prąd kolektora DC
 
 
Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
BC33825TA
BC33825TA - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

2453783

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz
Straty mocy Pd 625mW
Prąd kolektora DC 800mA

Brak

Ilość

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 5 Mult: 5
NPN 25V 100MHz 625mW 800mA
SS8050DTA.
SS8050DTA. - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 1 W, 1.5 A, 40 hFE

1505564

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 1 W, 1.5 A, 40 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Straty mocy Pd 1W

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 1 W, 1.5 A, 40 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft -
Straty mocy Pd 1W
Prąd kolektora DC 1.5A

Brak

Ilość

sztuka

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 16000 Mult: 16000
NPN 25V - 1W 1.5A
ZTX869
ZTX869 - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFE

9524878

DIODES INC.

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

DIODES INC. 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 450 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz
Straty mocy Pd 1.2W
Prąd kolektora DC 5A

Brak

Ilość

sztuka

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 5 Mult: 5
NPN 25V 100MHz 1.2W 5A
SS8050DTA
SS8050DTA - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 2 W, 1.5 A, 40 hFE

2454369

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 2 W, 1.5 A, 40 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 2 W, 1.5 A, 40 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz
Straty mocy Pd 2W
Prąd kolektora DC 1.5A

Brak

Ilość

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 5 Mult: 5
NPN 25V 100MHz 2W 1.5A
BC33825TA
BC33825TA - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

2453783RL

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFE

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20 zł
Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz
Straty mocy Pd 625mW
Prąd kolektora DC 800mA

Brak

Ilość

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20 zł
Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 150 Mult: 5
NPN 25V 100MHz 625mW 800mA
ZTX649
ZTX649 - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 25 V, 240 MHz, 1 W, 2 A, 200 hFE

9525564

DIODES INC.

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 25 V, 240 MHz, 1 W, 2 A, 200 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 240MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

DIODES INC. 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 25 V, 240 MHz, 1 W, 2 A, 200 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 240MHz
Straty mocy Pd 1W
Prąd kolektora DC 2A

Brak

Ilość

sztuka

Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 5 Mult: 5
NPN 25V 240MHz 1W 2A
SS8050DTA
SS8050DTA - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 2 W, 1.5 A, 40 hFE

2454369RL

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 2 W, 1.5 A, 40 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 100 MHz, 2 W, 1.5 A, 40 hFE

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20 zł
Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 100MHz
Straty mocy Pd 2W
Prąd kolektora DC 1.5A

Brak

Ilość

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20 zł
Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 150 Mult: 1
NPN 25V 100MHz 2W 1.5A
MMBT4124LT1G
MMBT4124LT1G - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE

2464046RL

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 300MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE

Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20 zł
Data Sheet
RoHS
Ponownie nawijana szpula
Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 300MHz
Straty mocy Pd 225mW
Prąd kolektora DC 200mA

Brak

Ilość

sztuka (dostarczane na taśmie ciętej)

Ponownie nawijana szpula
Rodzaje opakowania
Sugerowany zamiennik dla:2464046RL
2317863 w Szpula
2464046 w Taśma cięta
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20 zł
Pozycja objęta ograniczeniami
DODAJ
Min: 150 Mult: 5
NPN 25V 300MHz 225mW 200mA
MMBT4124LT1G
MMBT4124LT1G - Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE

2464046

ON SEMICONDUCTOR

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE

Biegunowość tranzystora NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo 25V
Częstotliwość przejścia ft 300MHz

+ Zobacz wszystkie informacje o produkcie

ON SEMICONDUCTOR 

Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE