Drukuj stronę
FF400R12KE3HOSA1
moduł IGBT, podwójna (półmostkowa), 580 A, 1.7 V, 2 kW, 125 °C, Moduł
65 W Magazynie
50 Można teraz zarezerwować na zapas
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 660,130 zł |
| 5+ | 632,700 zł |
| 10+ | 605,230 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
660,13 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF400R12KE3HOSA1
Nr katalogowy Farnell2726138
Asortyment produktów62mm C
Inna nazwaFF400R12KE3, SP000100781
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd kolektora DC580A
Prąd ciągły kolektora580A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.7V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Rozpraszanie mocy Pd2kW
Rozproszenie mocy2kW
Temperatura robocza, maks.125°C
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Temperatura złącza Tj, maks.125°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTtypu płaskiego
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Technologia IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów62mm C
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
FF400R12KE3HOSA1 is a 62mm 1200V, 400A dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and emitter controlled high-efficiency diode.
- Superior solution for frequency controlled inverter drives
- UL/CSA certification with UL1557 E83336
- Operating temperature up to 125°C (max 150°C)
- Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
- Existing packages with higher current capability
- Flexibility and highest reliability
- Optimal electrical performance
- 1200V collector-emitter voltage at Tvj = 25°C
- 580A continuous DC collector current at TC = 25°C, Tvj max = 150°C
- 2000W total power dissipation at TC = 25°C, Tvj max = 150
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC
580A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.7V
Rozpraszanie mocy Pd
2kW
Temperatura robocza, maks.
125°C
Temperatura złącza Tj, maks.
125°C
Zakończenie IGBT
typu płaskiego
Technologia IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
62mm C
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Prąd ciągły kolektora
580A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Rozproszenie mocy
2kW
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze FF400R12KE3HOSA1
Znaleziono 2 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000337
Śledzenie produktu