Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF600R12ME4B72BOSA1
Nr katalogowy Farnell3227669
Asortyment produktówEconoDUAL3
Inna nazwaFF600R12ME4_B72, SP001712082
Karta katalogowa
19 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 678,200 zł |
| 5+ | 647,350 zł |
| 10+ | 616,460 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
678,20 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaFF600R12ME4B72BOSA1
Nr katalogowy Farnell3227669
Asortyment produktówEconoDUAL3
Inna nazwaFF600R12ME4_B72, SP001712082
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Prąd ciągły kolektora600A
Prąd kolektora DC600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.75V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.75V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Temperatura robocza, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoDUAL3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC
600A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.75V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura robocza, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd ciągły kolektora
600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.75V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoDUAL3
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00016
Śledzenie produktu