Drukuj stronę
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu N, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HDSOP, montaż powierzchniowy
993 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 11,270 zł |
| 500+ | 10,380 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
1 147,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIAUS300N08S5N014TATMA1
Nr katalogowy Farnell3680218RL
Asortyment produktówOptiMOS 5
Inna nazwaIAUS300N08S5N014T, SP002952338
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKanał N
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds80V
Prąd ciągły Id drenu300A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.0012ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1200µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraHDSOP
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy300W
Rozpraszanie mocy Pd300W
Liczba pinów16Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS 5
KwalifikacjaAEC-Q101
Kwalifikacja motoryzacyjnaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
80V
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.0012ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
HDSOP
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
300W
Liczba pinów
16Pins
Asortyment produktów
OptiMOS 5
Kwalifikacja motoryzacyjna
AEC-Q101
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
300A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1200µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Rozpraszanie mocy Pd
300W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu