Drukuj stronę
IAUT300N08S5N012ATMA2
MOSFET mocy, Kanał typu N, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOF, montaż powierzchniowy
33 499 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 17,980 zł |
| 10+ | 13,080 zł |
| 100+ | 9,960 zł |
| 500+ | 9,240 zł |
| 1000+ | 9,120 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
17,98 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIAUT300N08S5N012ATMA2
Nr katalogowy Farnell2888480
Asortyment produktówOptiMOS 5
Inna nazwaIAUT300N08S5N012, SP001585160
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds80V
Prąd ciągły Id drenu300A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1200µohm
Rodzaj obudowy tranzystoraHSOF
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy375W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówOptiMOS 5
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
IAUT300N08S5N012ATMA2 to tranzystor OptiMOS™-5power 80 V, 300 A w 8-pinowej obudowie HSOF.
- Wersja N-kanałowa - tryb wzbogacony
- Kwalifikacja AEC
- Temperatura robocza: 175 °C
- Bardzo niska wartość Rds(on) wynosząca 1,2 mohm
- W 100% przetestowany lawinowo
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
300A
Rodzaj obudowy tranzystora
HSOF
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
375W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
80V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1200µohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
OptiMOS 5
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IAUT300N08S5N012ATMA2
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001