Drukuj stronę
IFF600B12ME4PB11BPSA1
moduł IGBT, podwójna (półmostkowa), 600 A, 1.75 V, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIFF600B12ME4PB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell3267803
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Inna nazwaIFF600B12ME4P_B11, SP001377694
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 16 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 6+ | 1 007,610 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 6
Wiele: 6
6 045,66 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIFF600B12ME4PB11BPSA1
Nr katalogowy Farnell3267803
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Inna nazwaIFF600B12ME4P_B11, SP001377694
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpodwójna (półmostkowa)
Prąd ciągły kolektora600A
Prąd kolektora DC600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.75V
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.75V
Rozpraszanie mocy Pd-
Rozproszenie mocy-
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTwciskane
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktówEconoDUAL 3
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
podwójna (półmostkowa)
Prąd kolektora DC
600A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.75V
Rozproszenie mocy
-
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
wciskane
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Prąd ciągły kolektora
600A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.75V
Rozpraszanie mocy Pd
-
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Asortyment produktów
EconoDUAL 3
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Hungary
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.01134
Śledzenie produktu