Drukuj stronę
IGW50N60TFKSA1
IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGW50N60TFKSA1
Nr katalogowy Farnell1832357
Inna nazwaIGW50N60T, SP000054926
Karta katalogowa
189 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 17,340 zł |
| 10+ | 11,390 zł |
| 100+ | 8,520 zł |
| 500+ | 7,430 zł |
| 1000+ | 7,260 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
17,34 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaIGW50N60TFKSA1
Nr katalogowy Farnell1832357
Inna nazwaIGW50N60T, SP000054926
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora50A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2V
Rozproszenie mocy333W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The IGW50N60T is a Low Loss IGBT in TrenchStop® and field-stop technology. The TrenchStop® IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of TrenchStop®-cell and field-stop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency - Low conduction and switching losses
- High device reliability
- 5µs Short-circuit withstand time
- Green product
- Halogen-free
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
50A
Rozproszenie mocy
333W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze IGW50N60TFKSA1
Znaleziono 1 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00542
Śledzenie produktu