Drukuj stronę
SPB18P06PGATMA1
MOSFET mocy, Kanał typu P, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentINFINEON
Nr części producentaSPB18P06PGATMA1
Nr katalogowy Farnell2212884
Inna nazwaSPB18P06P G, SP000102181
Karta katalogowa
4 949 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6,160 zł |
| 10+ | 2,510 zł |
| 100+ | 2,000 zł |
| 500+ | 1,680 zł |
| 1000+ | 1,560 zł |
| 5000+ | 1,490 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
6,16 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentINFINEON
Nr części producentaSPB18P06PGATMA1
Nr katalogowy Farnell2212884
Inna nazwaSPB18P06P G, SP000102181
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds60V
Prąd ciągły Id drenu18.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.13ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263 (D2PAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy81.1W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The SPB18P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to AEC-Q101
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
18.7A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263 (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
81.1W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds
60V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.13ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SPB18P06PGATMA1
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85044090
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00181
Śledzenie produktu