Drukuj stronę
IXFN44N100Q3
Tranzystor MOSFET, N-kanałowy, 38 A, 1 kV, 0,22 ohm, 10 V, 6,5 V SOT-227B
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Nr części producentaIXFN44N100Q3
Nr katalogowy Farnell3438389
Asortyment produktówHiperFET Q3-Class
Karta katalogowa
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 40 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 300+ | 183,060 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 300
Wiele: 300
54 918,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Nr części producentaIXFN44N100Q3
Nr katalogowy Farnell3438389
Asortyment produktówHiperFET Q3-Class
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Biegunowość tranzystoraKanał N
Prąd ciągły Id drenu38A
Napięcie drenu / źródła Vds1kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.22ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.22ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs6.5V
Rozproszenie mocy960W
Rozpraszanie mocy Pd960W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówHiperFET Q3-Class
Substancje SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
38A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.22ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
960W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Substancje SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
1kV
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.22ohm
Napięcie progowe Vgs
6.5V
Rozpraszanie mocy Pd
960W
Asortyment produktów
HiperFET Q3-Class
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004
Śledzenie produktu