Drukuj stronę
IXGR16N170AH1
IGBT, izolowany, 16 A, 5 V, 120 W, 1.7 kV, TO-247AD, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Nr części producentaIXGR16N170AH1
Nr katalogowy Farnell1300110
Karta katalogowa
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Nr części producentaIXGR16N170AH1
Nr katalogowy Farnell1300110
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora16A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter5V
Rozproszenie mocy120W
Maks. napięcie kolektor-emiter1.7kV
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247AD
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacja
The IXGR16N170AH1 is a High Voltage IGBT with sonic diode. It is suitable for DC choppers, capacitor discharge and pulse circuits.
- Silicon chip on direct-copper bond (DCB) substrate
- Isolated mounting surface
- Anti-parallel sonic diode
- High power density
- Low gate drive requirement
- 2500V Electrical isolation
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
16A
Rozproszenie mocy
120W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247AD
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
5V
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.7kV
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Germany
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.005