Drukuj stronę
IXTN210P10T
Tranzystor MOSFET, P-kanałowy, 210 A, 100 V, 0,0075 ohm, 10 V, 4,5 V SOT-227B
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Nr części producentaIXTN210P10T
Nr katalogowy Farnell3438414
Asortyment produktówTrenchP
Karta katalogowa
220 W Magazynie
300 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 187,540 zł |
| 5+ | 170,870 zł |
| 10+ | 154,200 zł |
| 50+ | 151,120 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
187,54 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentIXYS SEMICONDUCTOR
Nr części producentaIXTN210P10T
Nr katalogowy Farnell3438414
Asortyment produktówTrenchP
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Biegunowość tranzystoraKanał P
Prąd ciągły Id drenu210A
Napięcie drenu / źródła Vds100V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”7500µohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.0075ohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs4.5V
Rozproszenie mocy830W
Rozpraszanie mocy Pd830W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchP
Substancje SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Specyfikacja
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
210A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
7500µohm
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
830W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Substancje SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Biegunowość tranzystora
Kanał P
Napięcie drenu / źródła Vds
100V
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.0075ohm
Napięcie progowe Vgs
4.5V
Rozpraszanie mocy Pd
830W
Asortyment produktów
TrenchP
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004
Śledzenie produktu