Drukuj stronę
IXYN100N65C3H1
moduł IGBT, pojedyncze, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
297 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 119,130 zł |
| 5+ | 103,260 zł |
| 10+ | 87,400 zł |
| 50+ | 81,830 zł |
| 100+ | 76,210 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
119,13 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaIXYN100N65C3H1
Nr katalogowy Farnell3930297
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpojedyncze
Prąd ciągły kolektora160A
Prąd kolektora DC160A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)1.8V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.8V
Rozproszenie mocy600W
Rozpraszanie mocy Pd600W
Temperatura robocza, maks.175°C
Temperatura złącza Tj, maks.175°C
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-227B
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter650V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo650V
Technologia IGBT-
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
- XPT™ 650V GenX3™ w/ sonic diode
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- 2500V isolation voltage
- Anti-parallel sonic diode
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
pojedyncze
Prąd kolektora DC
160A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.8V
Rozpraszanie mocy Pd
600W
Temperatura złącza Tj, maks.
175°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
650V
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Prąd ciągły kolektora
160A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
1.8V
Rozproszenie mocy
600W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-227B
Maks. napięcie kolektor-emiter
650V
Technologia IGBT
-
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu