Drukuj stronę
NGD18N40ACLBT4G
IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252 (DPAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentLITTELFUSE
Nr części producentaNGD18N40ACLBT4G
Nr katalogowy Farnell2114669
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora18A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.8V
Rozproszenie mocy115W
Maks. napięcie kolektor-emiter400V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacja
The NGD18N40ACLBT4G is a 400V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.
- Ideal for coil on plug applications
- Gate-emitter ESD protection
- Temperature compensated gate-collector voltage clamp limits stress applied to load
- Integrated ESD diode protection
- New design increases unclamped inductive switching (UIS) energy per area
- Low threshold voltage interfaces power loads to logic or microprocessor devices
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Emitter ballasting for short-circuit capability
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
18A
Rozproszenie mocy
115W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.8V
Maks. napięcie kolektor-emiter
400V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00033