Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 139 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (z VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,2177 zł |
| 50+ | 0,6642 zł |
| 100+ | 0,4182 zł |
| 500+ | 0,2952 zł |
| 1500+ | 0,2583 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
6,09 zł (z VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC859CW,115
Nr katalogowy Farnell2464034
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter30V
Prąd ciągły kolektora100mA
Rozproszenie mocy200mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE420hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
The BC859CW,115 is a PNP General Purpose Transistor in a plastic package. It is suitable for use with low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.
- NPN complements are BC849W and BC850W
- 4C Marking code
Uwagi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
100mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
420hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
30V
Rozproszenie mocy
200mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:United States
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu