Drukuj stronę
PBHV8115Z,115
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 150 V, 1 A, 700 mW, SOT-223, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 54 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 50+ | 1,970 zł |
| 200+ | 1,590 zł |
| 500+ | 1,270 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
217,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPBHV8115Z,115
Nr katalogowy Farnell1829309RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter150V
Prąd ciągły kolektora1A
Rozproszenie mocy700mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów4Pins
Częstotliwość przejścia ft30MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE250hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
PBHV8115Z to przełomowy tranzystor małosygnałowy BISS NPN 1A, który jest umieszczony w plastikowej obudowie typu medium power (do montażu powierzchniowego) i z podniesionym radiatorem.
- Wysokonapięciowy
- Niskie napięcie nasycenia (VCEsat) kolektor-emiter
- Duża wartość prądu kolektora: IC oraz ICM
- Duże wzmocnienie prądu kolektora (fFE) przy wysokim prądzie IC
- Kwalifikacja AEC-Q101
- Uzupełnieniem PNP jest PBHV9115Z
- Kod oznaczenia: V8115Z
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
1A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Liczba pinów
4Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
250hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
150V
Rozproszenie mocy
700mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
30MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000124