Drukuj stronę
PMBT3906,215
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, PNP, 40 V, 200 mA, 250 mW, TO-236AB
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 013 W Magazynie
9 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,160 zł |
| 1500+ | 0,130 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
100,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaPMBT3906,215
Nr katalogowy Farnell1626501RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter40V
Prąd ciągły kolektora200mA
Rozproszenie mocy250mW
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-236AB
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft250MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE100hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
PMBT3906,215 is a PNP switching transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. It is ideal for general amplification and switching.
- Collector-base cut-off current is -50nA max at VCB=-30V; IE =0A, Tamb=25°C
- DC current gain is 60 min at VCE=-1V, IC=-0.1mA, Tamb=25°C
- Collector-emitter saturation voltage is -250mV max at IC=-10mA; IB=-1mA, Tamb=25°C
- Delay time is 35ns max at ICon=-10mA, Tamb=25°C
- Rise time is 35ns max at IBon=-1mA, Tamb=25°C
- Transition frequency is 250MHz min at VCE=-20V;IC=-10mA;, f=100MHz, Tamb=25°C
- Collector capacitance is 4.5pF max at VCB=-5V; IE=ie=0A;f=1MHz, Tamb=25°C
- Emitter capacitance is 10pF max at VEB=-500mV;IC=ic=0A; f=1MHz, Tamb=25°C
- Noise figure is 4dB max at IC=-100μA;VCE=-5V; RS =1kohm;f=10Hz to 15.7kHz, Tamb=25°C
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
200mA
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-236AB
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
100hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
40V
Rozproszenie mocy
250mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
250MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze PMBT3906,215
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008