Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaBFG425W,115
Nr katalogowy Farnell1758047RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter4.5V
Częstotliwość przejścia ft25GHz
Rozproszenie mocy135mW
Prąd ciągły kolektora25mA
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-343R
Liczba pinów3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE80hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The BFG425W,115 is a NPN double polysilicon Wideband Transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, dual-emitter package. It is designed for use with RF front end, analogue and digital cellular telephones, cordless telephones (PHS, DECT), radar detectors, pagers, SATV tuners and high frequency oscillator applications.
- Very high power gain
- Low noise figure
- High transition frequency
- Emitter is thermal lead
- Low feedback capacitance
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Częstotliwość przejścia ft
25GHz
Prąd ciągły kolektora
25mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
4.5V
Rozproszenie mocy
135mW
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-343R
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
80hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006