Drukuj stronę
PMBFJ309,215
Tranzystor FET RF, 25 V, 30 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23)
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNXP
Nr części producentaPMBFJ309,215
Nr katalogowy Farnell2776236RL
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds25V
Prąd ciągły Id drenu30mA
Rozproszenie mocy250mW
Częstotliwość robocza, min.-
Częstotliwość robocza, maks.-
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-236AB (SOT-23)
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
25V
Rozproszenie mocy
250mW
Częstotliwość robocza, maks.
-
Liczba pinów
3Pins
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Prąd ciągły Id drenu
30mA
Częstotliwość robocza, min.
-
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-236AB (SOT-23)
Temperatura robocza, maks.
150°C
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000073
Śledzenie produktu