Drukuj stronę
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producenta2N6109G..
Nr katalogowy Farnell2535603
Asortyment produktów2NXXXX
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter50V
Prąd ciągły kolektora7A
Rozproszenie mocy40W
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220
Montaż tranzystoraprzewlekany
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft10MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE10hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów2NXXXX
Kwalifikacja-
Specyfikacja
The 2N6109G is a 7A PNP complementary silicon Power Transistor designed for use in general-purpose amplifier and switching applications.
- High DC current gain
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
7A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
10hFE
Asortyment produktów
2NXXXX
Maks. napięcie kolektor-emiter
50V
Rozproszenie mocy
40W
Montaż tranzystora
przewlekany
Częstotliwość przejścia ft
10MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 8 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00279
Śledzenie produktu