Drukuj stronę
2SB1302S-TD-E.
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 20 V, 5 A, 1.3 W, SOT-89, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producenta2SB1302S-TD-E.
Nr katalogowy Farnell3615203
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter20V
Prąd ciągły kolektora5A
Rozproszenie mocy1.3W
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-89
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft320MHz
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
5A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-89
Liczba pinów
3Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
20V
Rozproszenie mocy
1.3W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
320MHz
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.1
Śledzenie produktu