Potrzebujesz więcej?
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 1,940 zł |
| 10+ | 1,360 zł |
| 100+ | 1,060 zł |
| 500+ | 0,930 zł |
| 1000+ | 0,880 zł |
| 2500+ | 0,810 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The MC33178DR2G is a low power low noise monolithic dual Operational Amplifier employing bipolar technology with innovative high performance concepts. This device family incorporates the use of high frequency PNP input transistors to produce amplifiers exhibiting low input offset voltage, noise and distortion. In addition, the amplifier provides high output current drive capability while consuming only 420μA of drain current per amplifier. The NPN output stage used, exhibits no dead-band crossover distortion, large output voltage swing, excellent phase and gain margins, low open-loop high frequency output impedance, symmetrical source and sink AC frequency performance.
- Large output voltage swing
- ESD Clamps on the inputs increase ruggedness without affecting device performance
- 600Ω Output drive capability
- 0.15mV (mean) Low offset voltage
- 2.0μV/°C Low TC of input offset voltage
- 0.0024% Low total harmonic distortion
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
2Channels
2V/µs
SOIC
Ogólnego zastosowania
150µV
Montaż powierzchniowy
85°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
-
2 wzmacniacze
5MHz
± 2V do ± 18V
8Pins
-
100nA
-40°C
-
MSL 1 - nieograniczone
SOIC
5MHz
2V/µs
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MC33178DR2G
Znaleziono 1 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu