Drukuj stronę
MJD122T4G
Tranzystor Darlingtona, Darlingtona, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
12 695 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,370 zł |
| 500+ | 1,870 zł |
| 1000+ | 1,680 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
257,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMJD122T4G
Nr katalogowy Farnell2317578RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo100V
Maks. napięcie kolektor-emiter100V
Rozpraszanie mocy Pd20W
Prąd ciągły kolektora8A
Prąd kolektora DC8A
Rozproszenie mocy20W
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Obudowa tranzystora RFTO-252 (DPAK)
Liczba pinów3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE1000hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft4MHz
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE1000hFE
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter
100V
Prąd ciągły kolektora
8A
Rozproszenie mocy
20W
Obudowa tranzystora RF
TO-252 (DPAK)
Wzmocnienie prądu DC hFE
1000hFE
Częstotliwość przejścia ft
4MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
1000hFE
Kwalifikacja
-
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
100V
Rozpraszanie mocy Pd
20W
Prąd kolektora DC
8A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MJD122T4G
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00033
Śledzenie produktu