Drukuj stronę
MMBT5179
Bipolarny tranzystor RF, NPN, 12 V, 2 GHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
15 437 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,160 zł |
| 1500+ | 0,150 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
100,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBT5179
Nr katalogowy Farnell2454024RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo12V
Maks. napięcie kolektor-emiter12V
Częstotliwość przejścia ft2GHz
Rozpraszanie mocy Pd225mW
Rozproszenie mocy225mW
Prąd ciągły kolektora50mA
Prąd kolektora DC50mA
Obudowa tranzystora RFSOT-23
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE25hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE25hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBT5179 is a NPN RF Transistor designed for use in low-noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100µA to 30mA range in common emitter or common base mode of operation and in low frequency drift, high output UHF oscillators.
- 12V Collector-emitter voltage
- 20V Collector-base voltage
- 2.5V Emitter-base voltage
- 50mA Continuous collector current
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter
12V
Rozpraszanie mocy Pd
225mW
Prąd ciągły kolektora
50mA
Obudowa tranzystora RF
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
25hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
12V
Częstotliwość przejścia ft
2GHz
Rozproszenie mocy
225mW
Prąd kolektora DC
50mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Wzmocnienie prądu DC hFE
25hFE
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Asortyment produktów
-
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000363
Śledzenie produktu