Drukuj stronę
MMBT5550
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-323, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBT5550
Nr katalogowy Farnell2438279
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter140V
Prąd ciągły kolektora600mA
Rozproszenie mocy225mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft50MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE60hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBT5550
Znaleziono 2 produktów
Specyfikacja
The MMBT5550 is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
- -55 to 150°C Junction temperature range
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
600mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
60hFE
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
140V
Rozproszenie mocy
225mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
50MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001