Drukuj stronę
MMBTA13LT1G
Tranzystor Darlingtona, Darlingtona, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
14 823 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,190 zł |
| 1500+ | 0,170 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
115,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBTA13LT1G
Nr katalogowy Farnell2464055RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter30V
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo30V
Prąd ciągły kolektora300mA
Rozpraszanie mocy Pd225mW
Rozproszenie mocy225mW
Prąd kolektora DC300mA
Obudowa tranzystora RFSOT-23
Liczba pinów3Pins
Wzmocnienie prądu DC hFE10000hFE
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Min. wzmocnienie prądu DC hFE10000hFE
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMBTA13LT1G jest bipolarnym tranzystorem Darlingtona NPN. Został zaprojektowany do użytku w aplikacjach przełączania, takich jak: głowica drukarki, przekaźniki, solenoidy oraz sterowniki lampowe. Układ jest znajduje się w obudowie, która przeznaczona jest do aplikacji niższej mocy do montażu powierzchniowego.
- Niska wartość RDS (on) zapewnia wyższą wydajność i przedłuża żywotność baterii
- Oszczędza powierzchnię płytki
- Kwalifikacja AEC-Q101, zdolność PPAP
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
30V
Rozpraszanie mocy Pd
225mW
Prąd kolektora DC
300mA
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
10000hFE
Kwalifikacja
AEC-Q101
Maks. napięcie kolektor-emiter
30V
Prąd ciągły kolektora
300mA
Rozproszenie mocy
225mW
Obudowa tranzystora RF
SOT-23
Wzmocnienie prądu DC hFE
10000hFE
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBTA13LT1G
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu