Drukuj stronę
NDC7001C
Podwójny MOSFET, Komplementarny kanał N i P, 50 V, 50 V, 340 mA, 340 mA, 1 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
31 193 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 2,670 zł |
| 10+ | 1,630 zł |
| 100+ | 1,070 zł |
| 500+ | 0,750 zł |
| 1000+ | 0,660 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
13,35 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNDC7001C
Nr katalogowy Farnell9844872
Karta katalogowa
Typ kanałuKomplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N50V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P50V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N340mA
Prąd ciągły Id drenu, kanał P340mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N1ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P1ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSuperSOT
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N700mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P700mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
NDC7001C jest podwójnym N-/P-kanałowym tranzystorem FET z kanałem wzbogacanym. Jest wytworzony z wykorzystaniem dużej gęstości ogniwa oraz technologii DMOS. Jest to proces o dużej gęstości, który został zaprojektowany w celu zminimalizowania rezystancji stanu „on", zapewnia niezawodną wydajność i szybkie przełączanie. Układ jest odpowiedni zwłaszcza do aplikacji niskonapięciowych, niskoprądowych, przełączania i zasilania.
- Wysoki prąd nasycenia
- Ogniwo o dużej gęstości dla niskiej wartości Rds(on)
- Konstrukcja wykorzystująca ramkę miedzianą dla najwyższej wydajności termicznej oraz elektrycznej.
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Komplementarny kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
50V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
340mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
1ohm
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
700mW
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
50V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
340mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
1ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SuperSOT
Rozproszenie mocy, kanał typu N
700mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00004
Śledzenie produktu