Drukuj stronę
NGTB25N120SWG
IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTB25N120SWG
Nr katalogowy Farnell2492858
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora50A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2V
Rozproszenie mocy385W
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze NGTB25N120SWG
Znaleziono 1 produktów
Specyfikacja
The NGTB25N120SWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for welding applications. Incorporated into the device is a soft and fast co-packaged free-wheeling diode with a low forward voltage.
- Soft fast reverse recovery diode
- Optimized for high speed switching
- 10μs Short-circuit capability
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
50A
Rozproszenie mocy
385W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2V
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004083
Śledzenie produktu