Drukuj stronę
NSS20200LT1G
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 316 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 0,790 zł |
| 500+ | 0,580 zł |
| 1500+ | 0,520 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
99,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNSS20200LT1G
Nr katalogowy Farnell2464089RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter20V
Prąd ciągły kolektora2A
Rozproszenie mocy710mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE300hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The NSS20200LT1G is a 4A PNP Bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.
- ESD robust
- High current gain
- High cut-off frequency
- Low profile package
- Linear gain (Beta)
- Improved circuit efficiency
- Decreased battery charge time
- Reduce component count
- High frequency switching
- Smaller portable product
- No distortion
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
2A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
300hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
20V
Rozproszenie mocy
710mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu