Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDV304P
Nr katalogowy Farnell1562554
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds25V
Prąd ciągły Id drenu460mA
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1.1ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)2.7V
Napięcie progowe Vgs860mV
Rozproszenie mocy350mW
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze FDV304P
Znaleziono 2 produktów
Specyfikacja
The FDV303P is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V. FDV303N is designed for battery power applications such as notebook, cellular phones and computers.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Drain to source voltage (Vds) of -25V
- Gate to source voltage of -8V
- Continuous drain current (Id) of -460mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Low on state resistance of 1.22ohm at Vgs -2.7V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
460mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
2.7V
Rozproszenie mocy
350mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
25V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1.1ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
860mV
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.099